司宏国对XR设备的前景表示看好：川省我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。

改委关问（a）SIG调控前后的光电流曲线。明确（d）器件在不同温度下的I-V曲线。

年富（d）SIG调控半导体器件电荷输运特性的示意图。主要研究方向有：余电纳米结构与光电器件，纳米发电机，自驱动传感器等。量输Email:[email protected];[email protected]。

硕士生郑明理为论文第一作者，配电程纲教授和杜祖亮教授为论文的共同通讯作者。川省SIG调控器件紫外光检测器的时间分辨的光电流开关曲线（b）及单周期开关曲线的放大图（c）。

改委关问（c）器件在200次生长循环时的荧光光谱。

基于此原理，明确我们提出了基于摩擦电微等离子体的表面离子栅（SIG）技术。年富（f）γ-LCSVO-NW和γ-LCSVO-MP的长循环性能。

（a，余电b）γ-LCSVO-NW和γ-LCSVO-MP的CV曲线。分别通过静电纺丝和固相反应制备的两种形态各异的γ-LCSVO材料，量输即γ-LCSVO纳米线(γ-LCSVO-NW)和微米级颗粒(γ-LCSVO-MP)，均表现出优异的电化学性能。

配电 图二γ-LCSVO的电化学性能表征。川省（d）原始的γ-LCSVO和e）锂化的γ-LCSVO的SAED对比。